报告题目：单层MoS2/WS2异质结的针尖增强圆偏振纳米光谱研究

报告人：苏伟涛 教授，杭州电子科技大学

报告时间：2026年4月3日10:30-12:00

报告地点：致知楼3328

报告摘要：

二维过渡金属硫族化合物的自旋-能谷耦合特性为谷电子学器件提供了物理基础，但能谷极化的高效调控与纳米尺度表征仍是核心挑战。本文以单层MoS2/WS2异质结构为对象，围绕谷极化调控与近场圆偏振成像开展研究。我们搭建了具备圆偏振分辨能力的针尖增强圆偏振光致发光表征平台，将其应用于化学气相沉积生长的单层MoS2/WS2 垂直异质结，实现谷极化度的超分辨成像。该平台突破光学衍射极限，达成20 nm 空间分辨率，测得WS2 区域中性激子的近场谷极化度最高达0.67，约为远场值的四倍。高分辨纳米光谱成像揭示了WS2区域内激子谷极化度与缺陷相关的纳米尺度空间非均匀性。本研究建立了能谷极化调控与超分辨表征的实验框架，有望为二维异质结构谷物理研究与器件设计提供了关键实验依据。

报告人简介：

苏伟涛(1978.5-), 男, 河南省宝丰县人，博士，教授，博士生导师，浙江省高校中青年学科带头人，杭州电子科技大学拔尖人才A计划资助。2004年于中南大学材料科学与工程公司毕业并获得材料学专业硕士，2007年于中国科公司上海技术物理研究所毕业并获得物理电子学博士，2013-2015年于中国科公司宁波材料所从事博士后研究工作。2007年起在杭州电子科技大学工作。2011-2012，2014年3月到7月， 2015年9月到2016年2月三次受邀在英国国家物理实验室从事二维材料近场光学性质研究工作。现主要从事超分辨针尖增强拉曼技术研究、二维材料光电性能研究等，在二维材料的制备与光谱分析方面有十多年的工作积累。迄今为止在国内外学术期刊Nature Communications, Nano Letters, Advanced Materials, ACS Nano, Nanoscale, Nano Research，JPCL等杂志上发表SCI论文140余篇，获授权发明专利十余项。目前担任Advanced Materials , Nano Letters, ACS Nano，Nanoscale, Chemical Communications，Infrared Physics &Technology等杂志的审稿人。

主要研究方向：

1.  针尖增强拉曼/荧光光谱研究；

2.  新型二维材料生长及其光电特性研究；